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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2699
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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