RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
3559
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link