RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
71
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
71
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
1956
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link