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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2370
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
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