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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
41
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
20
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
3465
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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