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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2623
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
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