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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2616
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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