RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2497
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link