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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
46
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2481
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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