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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
3465
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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