RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Compara
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
3496
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link