RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
3020
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link