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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2535
1989
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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