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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
49
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
49
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2673
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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