RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3106
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link