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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3683
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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