RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3204
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link