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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3503
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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