RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
44
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3012
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link