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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3680
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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