RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
44
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2865
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link