RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
67
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2030
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link