RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
44
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3233
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link