RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2635
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link