RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
44
En -120% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3619
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link