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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3448
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
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