RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
44
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3110
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link