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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1605
3420
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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