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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.3
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1605
2235
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
ASint Technology SLB304G08-GGNHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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