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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Compara
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2186
2307
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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