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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Compara
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2186
2272
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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