RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2186
3223
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link