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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Compara
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Puntuación global
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3024
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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