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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Compara
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3593
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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