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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3026
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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