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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2196
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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