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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.4
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
21.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
19.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
4129
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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