RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
65
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3929
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link