RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
65
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2.8
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
60
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
2.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
1505
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Informar de un error
×
Bug description
Source link