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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
65
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.9
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
1499
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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