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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
65
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2393
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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