RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2882
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link