RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,711.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,018.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,711.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2442
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link