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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
59
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2930
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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