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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3110
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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