RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2554
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link