RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
66
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
66
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
1877
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link