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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3391
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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