RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
59
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2998
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link