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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
59
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2017
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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